在 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 研討會上，來自南韓 UNIST 與日本東京大學的研究團隊分別獨立宣布了兩種新的高頻寬記憶體（HBM）架構——V-Die 與 MOSAIC。這兩種架構將 DRAM 晶片的擺放方向由水平旋轉為垂直，以改善散熱效率，並解決 AI 晶片的記憶體瓶頸問題。
UNIST 的 V-Die 架構將 DRAM 晶片旋轉 90 度，並透過穿透式矽通孔（TSV）將其垂直定位。此舉在釋放更多空間供額外記憶體儲存單元使用的同時，還在晶片之間導入液冷通道。模擬數據顯示，當執行達到 GPT-3 等級的工作負載時，V-Die 可達到每秒 540 個 tokens，幾乎是傳統 HBM4 每秒 296 個 tokens 的兩倍。
東京大學的 MOSAIC 則採用正交的晶片堆疊方式，並透過使用微電感耦合（micro-inductor coupling）進行無接觸的晶片間介面。其每通道可達 4 Gbps，並可能在 DRAM-on-GPU 的配置下使 HBM4 容量翻倍。兩種設計都旨在解決限制目前 AI 加速器效能的關鍵記憶體頻寬瓶頸，但截至目前兩者仍停留在學術模擬階段。
