SK 海力士（SK Hynix）總裁宋鉉宗（Song Hyun-jong）在 29 日的 Q2 2026 財報電話會議中，針對公司下一代 HBM4E 高頻寬記憶體技術表達信心，表示已採用技術成熟且量產穩定的最佳製程，後續研發時程進展順利。該公告之際，記憶體供給短缺正在提升能否準時交付客戶所需數量的能力，成為記憶體製造商的核心競爭力要素。宋強調，SK 海力士將基於全面競爭力維持 HBM 領導地位，包括卓越品質、建立在高需求基礎上的穩定供應能力、成本競爭力以及業界領先的效能；同時也披露今年將投入逾 40 兆韓元的計畫，並持續就其他股東回報措施進行多面向檢討。
SK 海力士推進 HBM4E 與 HBM4 量產擴產
SK 海力士已在 Q2 啟動 HBM4 的量產出貨，並計劃在下半年擴大產能。公司在上半年向主要客戶供應 HBM4E 樣品。宋表示，HBM4 在持續進行產品最佳化的同時，達成業界領先的功耗效率與成本競爭力，並透過連續的產品最佳化實現客戶所需的運行速度，展現出差異化的技術競爭力。他補充說，公司將透過包含卓越品質、建立在高需求基礎上的穩定供應能力、成本競爭力與業界領先效能的全面競爭力，維持 HBM 領導地位。
SK 海力士擴大 1c 奈米 DRAM 與先進 NAND 產品佈局
SK 海力士自 Q2 起開始提供基於 1c 奈米製程的 DDR5 產品全量供應。就 NAND 快閃記憶體而言，公司計劃加速先進製程的導入轉換，並強化以高容量、高效能產品為核心的產品組合。宋解釋，公司將持續擴充生產能力以回應客戶需求以及中長期成長，並計劃在基於客戶諮詢與市場需求預測的前提下，預先確保未來供應能力所需的基礎設施。
SK 海力士規劃投資逾 40 兆韓元與新設施
SK 海力士預期今年投資規模將落在上 40 兆韓元區間。公司近期已宣布針對 P&T7 的投資計畫，以強化先進封裝能力以及新的 NAND 生產基地。SK 海力士也披露中長期計畫，將在湖南（Honam）地區建立新的國內半導體園區。宋表示，公司將把投資優先導向能夠創造高獲利與策略價值的成長機會，同時確保財務結構，使業務即使在市場波動下也能維持穩定營運。
SK 海力士檢討其他股東回報措施
SK 海力士正在就追加股東回報落地的措施進行多面向檢討。宋表示，公司打算持續與股東分享投資與穩定營運所創造的成果，並補充說，一旦計畫定案，將向市場傳達具體內容。公司亦計劃同步持續進行投資與股東回報。
FAQ
SK 海力士在 29 日針對 HBM4E 生產宣布了什麼？
SK 海力士總裁宋鉉宗在 29 日的 Q2 2026 財報電話會議中表示，HBM4E 已採用技術成熟且量產穩定的最佳製程，且後續研發時程進展順利。公司在上半年向主要客戶供應 HBM4E 樣品。
SK 海力士今年計畫投入多少投資？
SK 海力士預期今年投資規模將落在上 40 兆韓元區間。公司近期已宣布針對 P&T7 先進封裝設施以及新的 NAND 生產基地的投資計畫，並披露中長期計畫，將在湖南（Honam）地區建立新的半導體園區。
