根據 BlockBeats 指出，7 月 21 日，三星電子在其位於平澤 P5 的設施開始建置 Die-to-Wafer（晶粒到晶圓）混合鍵合產線，以支援用於 HBM 與邏輯半導體的下一代先進封裝。該公司計劃向荷蘭設備製造商 Besi 取得約 50 套混合鍵合系統。
Citrini 的分析師 Jukan 表示，混合鍵合技術預計將部署於輝達（Nvidia）下一代 AI 加速器 Feynman；該產品將使用客製化 HBM。三星內部預估量產時間約在 2029–2030 年，與輝達 Feynman 晶片的預期時程相符。
