三星電子股價在標普上調評級後兩天內飆升 10%

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三星電子股票在 22 日開盤時上漲 5.79%,至 274,000 韓元;此前一天漲幅為 6.15%,意味著連續兩個交易日的漲幅累計超過 10%。這波上漲由標準普爾(S&P)於 21 日將三星的評等展望由「穩定」上調至「正面」所推動,反映記憶體半導體表現強勁。漲勢出現之際,因近期修正後的利多吸引「撿便宜」買盤回流,紐約證券交易所(New York Stock Exchange)上的 AI 與半導體(semiconductor)股票再次受到追捧;三星則同時受惠於全球產業復甦以及正面的信用評等行動。

S&P 升級三星評等展望 指出記憶體超級循環效益

S&P 於 21 日的報告中,將三星電子的評等展望由「穩定」上調至「正面」,原因是公司記憶體半導體表現強勁。信用評等機構預估,身為全球最大記憶體半導體製造商的三星,將成為記憶體超級循環的最大受益者。

S&P 預測,記憶體供給短缺至少在未來兩年內仍將難以解決。該機構估計,至 2028 年,全球超大型雲端(hyperscalers)的資本支出將擴大至約 1 兆美元,較 2024 年水準增加四倍,且其中相當大部分將用於 AI 資料中心的建置。

記憶體供給短缺預計延續至 2027 年之際 超大型雲端擴張

S&P 分析指出,實際供給增長要到 2028 年後才會逐步反映,導致 2026-2027 年間供需失衡加劇。該機構將此預測歸因於:AI 基礎設施投資加速的時間表,與新產能投產上線的時程之間存在落差。

該報告指出,四家主要全球超大型雲端是記憶體需求的關鍵驅動因素;合計而言,2028 年資本支出將達 1 兆美元,而 2024 年為基準水準。

三星推進 HBM4 技術與鑄造製程良率

S&P 評估,三星在 HBM 與鑄造(foundry)營運方面取得實質進展。該機構判定,三星透過在最新 HBM4 產品中結合 1c DRAM 與 4nm 基底晶粒(base die),取得技術優勢,且已大幅解決前一代 HBM3E 曾出現的良率問題。

在鑄造業務方面,S&P 指出先進製程良率進入正常化階段。報告表示,若台灣最大鑄造代工廠商 TSMC 出現產能限制,三星可能成為一個可行的替代選項。

常見問題(FAQ)

是什麼原因導致三星電子股價在兩天內上漲超過 10%?

三星電子股票在兩個連續交易日內上漲超過 10%,主因是 S&P 在 21 日將公司的評等展望由「穩定」上調至「正面」,同時在近期修正後,全球市場的 AI 與半導體(semiconductor)股票出現「撿便宜」買盤。

為什麼 S&P 將三星評等展望上調至正面?

S&P 基於三星記憶體半導體表現強勁,以及預估三星作為全球最大記憶體製造商將成為記憶體超級循環的主要受益者,因而上調評等展望;供給短缺預計至少延續至 2027 年,同時超大型雲端的資本支出將在 2028 年增至 1 兆美元,達到四倍。

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