据 BlockBeats 报道，7 月 21 日，三星电子开始在其位于平泽 P5 的设施中建造一条 Die-to-Wafer（晶粒到晶圆）混合键合产线，以支持 HBM 和逻辑半导体的下一代先进封装。该公司计划从荷兰设备制造商 Besi 采购约 50 套混合键合系统。
Citrini 的分析师 Jukan 表示，混合键合技术有望应用于英伟达下一代 AI 加速器 Feynman，该加速器将使用定制 HBM。三星内部预计大规模量产时间约在 2029—2030 年，这与英伟达 Feynman 芯片的预期时间表相吻合。
