韓国メディアによると、サムスン電子は第3四半期の価格交渉を行っており、汎用DRAMの平均販売価格（ASP）を最大20％引き上げる目標を掲げている。また、LPDDRは需給に「深刻なボトルネック」が生じており、上昇幅は20％を超える可能性がある。一方、UBS（スイスの銀行）の最新レポートでは、DRAMとNANDの価格予想を上方修正し、DRAMは第3四半期に前期比32％増、NANDは同30％増と予測している。これと比較して、SKハイニックスの価格設定トレンドは比較的安定している。
（前回の概要：サムスンが第3四半期にDRAMをさらに20％値上げと報道！1年に3回の値上げ、AIが生産能力を圧迫しスマートフォン・PCに波及）
（背景補足：サムスンがHBM歩留まり70％突破を発表！CTOの宋在赫氏が次世代DRAMで逆転を宣言、SKハイニックスを猛追）
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韓国メディア「韓国ZDNET」が業界関係者の情報を引用して報じたところによると、韓国のメモリー大手サムスン電子は第3四半期の価格交渉を顧客と行っており、汎用DRAMの平均販売価格（ASP）を前期比最大20％引き上げる目標を掲げている。これに先立ち、サムスンのDRAM平均販売価格は第1四半期、第2四半期にそれぞれ前期比90％、50～60％の上昇を記録しており、3四半期連続の値上げは、AIが従来のメモリー生産能力を圧迫する構造的な不均衡を反映している。
半導体業界関係者は、サムスン電子が第3四半期の価格交渉で極めて強硬な姿勢を示していると語る。サーバーとモバイル端末の両方で最近「深刻なボトルネック」が発生しているLPDDR（低電力ダブルデータレートメモリー）についても、サムスンは20％以上の値上げを準備している。ただし、顧客が全面的に受け入れるかどうかはまだ確定していない——端末メーカーは発注量を減らしたり、他のサプライヤーに切り替えたりすることを交渉の材料にする可能性がある。
注目すべきは、競合のSKハイニックスの価格設定トレンドが現在比較的安定している点だ。その理由の一部は、同社がAIに必要な高帯域幅メモリー（HBM）にさらに依存しており、これらの製品は主に長期契約（LTA）に基づいており、契約価格が固定されているため短期的な市場変動の影響を受けにくいことにある。同時にSKハイニックスはまもなく米国上場を予定しており、市場はその資本拡大能力がサムスンとのHBM分野での差をさらに広げると予想している。
業界評価によると、サムスン電子のDRAM平均価格の上昇がSKハイニックスよりも顕著である主な理由は、価格変動が大きい汎用DRAMがサムスンの総生産量に占める割合が高く、サムスンが価格引き上げに最も積極的であることにある。業界関係者は、サムスンが汎用DRAMの市場シェアで依然として世界首位であり、価格交渉の余地でより主導権を握っていると分析している。
UBS（スイスの銀行）は最近、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリーの価格予想を上方修正した。同行は、DRAM価格は第3四半期、第4四半期にそれぞれ前期比32％、18％上昇すると予測し、NAND価格は第3四半期、第4四半期にそれぞれ前期比30％、12％上昇すると予測している。この予測は市場平均コンセンサスを大幅に上回っており、ウォール街がAI主導のメモリースーパーサイクルに対して強い楽観論を維持していることを示している。
業界では一般に、今回のメモリー値上げの根本的な原動力はAIにあると考えられている。3大メモリーメーカー（サムスン、SKハイニックス、マイクロン）は生産能力の約93％をHBM生産に振り向けており、従来型DRAMの供給は大幅に圧迫されている。また、1ビットのHBMを生産するには、DDR5の約3倍のウェハー生産能力が必要であり、新たな生産能力が本格的に稼働するのは早くとも2027年になる。供給逼迫と需要拡大の二重の圧力の下で、メモリー価格は中長期的に上昇余地がある。
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三星がメモリを20%急騰！UBSが価格を上方修正：DRAM第3四半期は前期比32%増、NANDは30%上昇！
韓国メディアによると、サムスン電子は第3四半期の価格交渉を行っており、汎用DRAMの平均販売価格（ASP）を最大20％引き上げる目標を掲げている。また、LPDDRは需給に「深刻なボトルネック」が生じており、上昇幅は20％を超える可能性がある。一方、UBS（スイスの銀行）の最新レポートでは、DRAMとNANDの価格予想を上方修正し、DRAMは第3四半期に前期比32％増、NANDは同30％増と予測している。これと比較して、SKハイニックスの価格設定トレンドは比較的安定している。
（前回の概要：サムスンが第3四半期にDRAMをさらに20％値上げと報道！1年に3回の値上げ、AIが生産能力を圧迫しスマートフォン・PCに波及）
（背景補足：サムスンがHBM歩留まり70％突破を発表！CTOの宋在赫氏が次世代DRAMで逆転を宣言、SKハイニックスを猛追）
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韓国メディア「韓国ZDNET」が業界関係者の情報を引用して報じたところによると、韓国のメモリー大手サムスン電子は第3四半期の価格交渉を顧客と行っており、汎用DRAMの平均販売価格（ASP）を前期比最大20％引き上げる目標を掲げている。これに先立ち、サムスンのDRAM平均販売価格は第1四半期、第2四半期にそれぞれ前期比90％、50～60％の上昇を記録しており、3四半期連続の値上げは、AIが従来のメモリー生産能力を圧迫する構造的な不均衡を反映している。
サムスン、第3四半期の値上げ姿勢は強硬、LPDDRに深刻なボトルネック
半導体業界関係者は、サムスン電子が第3四半期の価格交渉で極めて強硬な姿勢を示していると語る。サーバーとモバイル端末の両方で最近「深刻なボトルネック」が発生しているLPDDR（低電力ダブルデータレートメモリー）についても、サムスンは20％以上の値上げを準備している。ただし、顧客が全面的に受け入れるかどうかはまだ確定していない——端末メーカーは発注量を減らしたり、他のサプライヤーに切り替えたりすることを交渉の材料にする可能性がある。
SKハイニックスは堅調：HBMの長期契約が支え、価格変動は小さい
注目すべきは、競合のSKハイニックスの価格設定トレンドが現在比較的安定している点だ。その理由の一部は、同社がAIに必要な高帯域幅メモリー（HBM）にさらに依存しており、これらの製品は主に長期契約（LTA）に基づいており、契約価格が固定されているため短期的な市場変動の影響を受けにくいことにある。同時にSKハイニックスはまもなく米国上場を予定しており、市場はその資本拡大能力がサムスンとのHBM分野での差をさらに広げると予想している。
汎用DRAM比率が高く、サムスンの値上げ幅はより大きい
業界評価によると、サムスン電子のDRAM平均価格の上昇がSKハイニックスよりも顕著である主な理由は、価格変動が大きい汎用DRAMがサムスンの総生産量に占める割合が高く、サムスンが価格引き上げに最も積極的であることにある。業界関係者は、サムスンが汎用DRAMの市場シェアで依然として世界首位であり、価格交渉の余地でより主導権を握っていると分析している。
UBSがDRAM・NANDの価格予想を上方修正
UBS（スイスの銀行）は最近、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリーの価格予想を上方修正した。同行は、DRAM価格は第3四半期、第4四半期にそれぞれ前期比32％、18％上昇すると予測し、NAND価格は第3四半期、第4四半期にそれぞれ前期比30％、12％上昇すると予測している。この予測は市場平均コンセンサスを大幅に上回っており、ウォール街がAI主導のメモリースーパーサイクルに対して強い楽観論を維持していることを示している。
AIメモリーの需給構造：値上げトレンドは2027年まで続く可能性
業界では一般に、今回のメモリー値上げの根本的な原動力はAIにあると考えられている。3大メモリーメーカー（サムスン、SKハイニックス、マイクロン）は生産能力の約93％をHBM生産に振り向けており、従来型DRAMの供給は大幅に圧迫されている。また、1ビットのHBMを生産するには、DDR5の約3倍のウェハー生産能力が必要であり、新たな生産能力が本格的に稼働するのは早くとも2027年になる。供給逼迫と需要拡大の二重の圧力の下で、メモリー価格は中長期的に上昇余地がある。