Samsung applique un procédé 2 nm à la puce HBM5 de base, pour une augmentation de vitesse de 50 %

Samsung Electronics a annoncé le 27 qu’elle appliquera un procédé de fonderie en 2 nanomètres avec une structure Gate-All-Around (GAA) à la puce de base de HBM5, la prochaine génération de mémoire à bande passante élevée. La société a indiqué via sa newsroom semiconducteurs que la vitesse de fonctionnement de HBM5 devrait être supérieure de plus de 50% à celle de la génération précédente HBM4E, et qu’elle prépare des procédés de pointe pour améliorer la vitesse et l’efficacité énergétique. La puce de base est un semi-conducteur logique situé au bas de la structure de pile mémoire HBM, reliant les données entre des processeurs externes tels que les GPU et les CPU et la HBM. Elle est devenue, depuis que HBM4 a commencé à utiliser des procédés de fonderie, une brique centrale déterminant les performances globales du produit et l’efficacité énergétique.

Samsung a expédié HBM4 et HBM4E avec un procédé 4 nm

Samsung Electronics a expédié en février le premier HBM4 au monde pour une production de masse, suivi par des échantillons HBM4E à 12 couches en mai. Les puces de base de HBM4 et HBM4E utilisent le procédé de 4 nanomètres de 4e génération de Samsung Foundry, entré dans sa troisième année de production de masse.

Samsung a appliqué des dispositifs à forte densité et à ultra-haute performance à la puce de base HBM4E

Gu Ja-heum, vice-président et responsable du développement technologique au sein de Samsung Electronics Foundry Business, a expliqué que des dispositifs à forte densité et à ultra-haute performance ont été appliqués à la puce de base HBM4E pour obtenir un fonctionnement à grande vitesse de 14 Gbps ou plus. Les couches de câblage métallique ont été agencées de manière efficace afin de réduire la consommation électrique, et les chemins de dissipation de chaleur ont également été optimisés.

Samsung met en avant une capacité « clé en main » intégrant mémoire, fonderie et packaging

Samsung Electronics a mis en avant sa capacité « clé en main » en internalisant la mémoire, la fonderie et le packaging avancé. La structure implique que la division Memory produit les puces cibles, que la division Foundry produit les puces de base et que l’organisation de packaging les assemble en produits finis. D’après la société, cela permet d’optimiser conjointement la vitesse, la puissance, la chaleur et le rendement dès l’étape de conception. Samsung a indiqué qu’au cours du développement de la puce de base HBM4, une task force inter-divisionnelle a été mise en place, permettant d’atteindre les objectifs de performance et de rendement dès le premier échantillon, avec environ trois mois nécessaires entre la préparation du procédé et la confirmation du résultat.

Samsung a lancé la production en 2 nm et prévoit le lancement de produits mobiles 2 nm de 2e génération

Samsung Electronics étend les domaines d’application de ses procédés avancés de fonderie, du mobile à l’IA, à l’informatique haute performance (HPC), à l’automobile et à la robotique. La société a commencé la production de masse de son procédé de 1re génération en 2 nanomètres au second semestre de l’année dernière. Au second semestre de cette année, elle prévoit de lancer la production de masse de produits mobiles basés sur le procédé de 2e génération en 2 nanomètres, avec un rendement et des performances améliorés. En outre, Samsung développe des solutions « one-stop » reliant le packaging avancé et la HBM, et poursuit le développement technologique fondé sur la photonique sur silicium et les optiques co-emballées (CPO) pour les centres de données. Fort de l’expérience acquise avec la puce de base en 4 nanomètres utilisée dans HBM4, Samsung prévoit d’appliquer en amont le procédé en 2 nanomètres à HBM5 afin de renforcer son leadership technologique sur le marché des semi-conducteurs dédiés à l’IA.

FAQ

Quel procédé de fonderie Samsung va-t-il appliquer à la puce de base HBM5 ?

Samsung Electronics a annoncé le 27 qu’elle appliquera un procédé de fonderie en 2 nanomètres avec une structure Gate-All-Around (GAA) à la puce de base de HBM5. La société a indiqué que la vitesse de fonctionnement de HBM5 devrait être supérieure de plus de 50% à celle de HBM4E.

Quand Samsung a-t-il expédié des produits HBM4 et HBM4E ?

Samsung Electronics a expédié en février le premier HBM4 au monde pour une production de masse, puis a expédié des échantillons HBM4E à 12 couches en mai. Les puces de base des deux produits utilisent le procédé de 4 nanomètres de 4e génération de Samsung Foundry.

Quel est le calendrier de production de Samsung pour le procédé 2 nm ?

Samsung Electronics a démarré la production de masse de son procédé de 1re génération en 2 nanomètres au second semestre de l’année dernière. La société prévoit de lancer la production de masse de produits mobiles basés sur le procédé de 2e génération en 2 nanomètres, avec un rendement et des performances améliorés, au second semestre de cette année.