据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士正在重新评估在下一代高带宽存储器（HBM）中引入混合键合技术的时间表。潜在的延迟源于HBM应用中对厚度减薄和热性能改善的需求减少。这两家公司正在分别开发替代热解决方案——HPB和iHBM——计划集成到HBM5产品中。行业分析师指出，随着HBM I/O引脚数持续增加，混合键合预计仍将是关键的长期技术路径。
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