Roundhill Memory ETF 在 5 天内暴涨 8%,自 4 月推出以来已累计上涨超 110%,在 AI 需求带动下持续走强

DRAM-8.53%
MU-7.51%
SKHY-8.85%
SKHYV-0.98%

Roundhill Memory ETF(DRAM-US)聚焦全球存储芯片产业,包括 DRAM、高带宽内存(HBM)、NAND 闪存以及 SSD 制造商。过去 5 个带单天数内,该基金累计上涨超过 8%,主要受益于 AI 服务器需求激增,以及 Micron(MU-US)和 SK Hynix 等核心持仓走强。自其于 2026 年 4 月推出以来,该基金累计上涨超过 110%,成为 AI 基础设施反弹行情中表现突出的主题 ETF 之一。

该 ETF 的实盘持仓十分集中,仅包含 16 只股票,管理规模约 2,303 亿美元,费用率为 0.65%。主要持仓包括 Micron、SK Hynix、SanDisk(SNDK-US)、三星电子、希捷科技(STX-US)以及西部数据(WDC-US)。该基金近期的强势反映了存储芯片需求的持续性,因为科技公司正在加速建设 AI 数据中心,而 AI 模型开发仍在进一步提速。

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