中国 DRAM 破局者？A 股新「股王」长鑫科技上市首日成交破千亿，DRAM 超级周期能走多远？

7 月 27 日，长鑫科技（688825.SH）正式登陆上交所科创板。这只发行价 8.66 元的新股，以 49.50 元（+471.6%）开盘，市值瞬间突破 3.31 万亿元，超越工商银行成为 A 股市值第一。但这只是今天三幕大戏的开场。

1. 第一幕（09:25-11:00）：狂欢。开盘后资金蜂拥而至，9:49 成交额突破 745 亿创 A 股新股纪录，10:04 突破 900 亿超越东方财富的 A 股单日纪录，上市首小时内成交额突破 1,000 亿——A 股历史上首只单日成交破千亿的个股诞生。上午 11:00 前后，股价触及全天最高 55.03 元，涨幅达 +535.2%，市值约 3.68 万亿——在全球市值排行榜上跃居第 24 位，超过英特尔（4,640 亿美元）和腾讯（3.39 万亿元人民币）。
2. 第二幕（11:00-14:00）：深蹲。冲高后抛压汹涌而至。股价从 55.03 元一路下挫，盘中最低触及 38.11 元——较日内高点回落 30.8%。午盘后半段，恐慌性抛售将成交继续推高，换手率在 14:05 达到 61.5%，成交额突破 1,300 亿。上午在 55 元追高的投资者，三个小时内账面浮亏近 31%。
3. 第三幕（14:00-15:00）：收敛。尾盘资金回流，股价从 38 元区间反弹至 49 元附近。最终收报 49.00 元，涨幅 +465.8%，略低于开盘价 49.50 元——这是今天最重要的信号之一：首日收盘低于开盘价，追高者已产生浮亏。

长鑫科技上市首日数据

根据招股说明书，本次 IPO 发行 668.81 亿股（超额配售选择权行使前），发行总市值约 5,791.88 亿元。超额配售选择权行使前募集资金总额为 579.19 亿元，全额行使后为 666.07 亿元——这一规模超过 2020 年中芯国际创下的 532.30 亿元纪录，成为科创板史上最大 IPO。

公司画像：从零到全球第四的十年

跳代研发策略

长鑫科技成立于 2016 年，总部位于安徽合肥。公司采取跳代研发策略——不做低端、不做落后制程，直接在 2019 年推出自主设计生产的 8Gb DDR4 芯片，实现了中国大陆 DRAM 产业从零到一的突破。

根据招股说明书，公司已构建从 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 的全系列产品矩阵。2025 年推出的 LPDDR5X 最高速率达 10,667 Mbps，首款国产 DDR5 速率达到 8,000 Mbps，单颗容量达 24Gb。长鑫科技与全球 DRAM 存储龙头的技术节点差距正逐渐缩小。

长鑫科技自 2016 年成立以来，突破了 DRAM 关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产，填补了中国大陆 DRAM 产品在全球市场上的空白。

产品矩阵与客户生态

终端客户覆盖了阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo 等国内主流科技厂商。腾讯已签订 200 亿元以上的长期 DRAM 供应协议。LPDDR 产品在国内安卓品牌手机中的采用率已突破 30%。此外，有业界消息称苹果正在测试长鑫科技的 DRAM 芯片——虽然尚未官方确认，但表明其产品品质已开始引起全球顶级客户的关注。

产能规模

公司在合肥、北京两地布局了 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂。截至 2025 年末，DRAM 合计月产能约 28 万片（12 英寸等效）。本次 IPO 募集的资金中，75 亿元用于晶圆制造技术升级改造，180 亿元用于 DRAM 技术升级，90 亿元用于前瞻技术研发。此外，公司超 6,000 名员工通过员工持股计划获得股份，创始人朱一明承诺上市后 10 年内不减持。截至 2025 年 12 月 31 日，累计未弥补亏损为 366.5 亿元，但随着 2026 年盈利大幅改善，这一历史包袱有望快速消化。

DRAM：全球半导体最暴烈的周期赛道

要理解长鑫科技的估值逻辑，必须先理解 DRAM 行业的本质——这是全球半导体产业中周期性最强烈的赛道。过去半个多世纪，DRAM 行业完整经历了九轮周期，每一轮都以「这次不一样」的叙事开始，以价格暴跌和玩家出清收场。

2009 年之后，全球 DRAM 行业固化为三星（约 39%）、SK 海力士（约 29%）、美光（约 22%）三寡头垄断格局，合计占据全球市场九成以上份额。三家巨头可以通过产能调控维持供给纪律——这在过去「六家混战」时代不可能做到。这是本轮 AI 超级周期与前几轮最大的不同，也是多头最核心的论据。

DRAM 历史上每一轮超级周期都以暴跌收场。1995、2000、2008、2018——无一例外。半导体是所有科技行业里周期性最野蛮的赛道。

AI 如何改变 DRAM 供给结构

三巨头抢 HBM 的肉，让出了 DDR 的汤

HBM（高带宽内存）是 AI 服务器的核心组件，其生产消耗的晶圆面积是普通 DDR5 的 3 至 4 倍。2026 年全球 DRAM 总资本开支同比增长 65%，合计接近 1,200 亿美元，但新增先进晶圆产能的 60% 优先供给 HBM。三大原厂已将 70% 的新增产线倾斜至 HBM，然而产能缺口依然高达 50% 至 60%。

三家巨头的 2026 年 HBM 产能已被英伟达等一级客户通过 3 至 5 年长期协议提前锁定。高盛预计，2026 至 2030 年间，三大原厂约 30% 的可用产能将被 HBM 占用。这为长鑫创造了难得的窗口：当龙头注意力全在 HBM 上时，中端通用 DRAM 出现了结构性供给缺口。

HBM 市场规模

HBM 市场正以指数级速度扩张。根据高盛预测，HBM 市场规模将从 2026 年的 560 亿美元增长至 2027 年的 1,160 亿美元，2028 年突破 1,680 亿美元。美银预测更为激进——HBM 销售额从 2025 年的 64.6 亿美元增长至 2026 年的 269.4 亿美元（同比 +317%），到 2028 年突破 627 亿美元。Gartner 预计 HBM 收入年复合增长率达 60.5%。

长鑫能拿多少份额？

按 Omdia 数据，长鑫科技全球 DRAM 市场份额已从 2025 年第四季度的 7.67% 进一步提升至 2026 年第一季度的约 7.6%，位列全球第四。研究机构 SemiAnalysis 预测，长鑫科技 2026 年全年收入可能超过 500 亿美元，市占率将从 2025 年的 9% 提升到 2027 年的 12%。但韩国两大巨头已宣布大规模扩产计划——长鑫的窗口期并非无限。

财务数据全景：从巨亏到爆发

三年三级跳

2022 年至 2024 年，公司处于持续亏损阶段。2025 年，公司实现营收 617.99 亿元，归母净利润 18.75 亿元，实现年度扭亏为盈。

进入 2026 年，业绩呈现爆发式增长。一季度，公司实现营业收入 508 亿元，同比增长 719.13%；归母净利润 247.62 亿元，同比扭亏为盈。公司预计 2026 年上半年营业收入将达到 1,100 亿元至 1,200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；归母净利润 500 亿元至 570 亿元，同比增长 2,244.03% 至 2,544.19%。以中位数测算，上半年业绩有望彻底抹平公司成立以来的全部累计亏损，日均盈利接近 1.5 亿元。

利润从哪来？三层驱动力

从 2024 年巨亏到 2026 年上半年预告盈利 500-570 亿元，利润爆发由三个因素叠加驱动：

第一层：DRAM 价格暴涨。据东吴证券研报，DDR4（8Gb）现货均价从 2024 年底的约 8.1 美元飙升至 2026 年 6 月底的约 140 美元，累计涨幅超 16 倍；DDR5（16Gb）从 2025 年 11 月的 20 美元快速上涨至 2026 年 6 月底的 117.5 美元，涨幅约 4.9 倍。TrendForce 数据显示，2026 年第一季度一般型 DRAM 合约价环比上涨 93% 至 98%，第二季度再涨 58% 至 63%。Gartner 预测 2026 年全球 DRAM 年度价格上涨 125%。

第二层：产能利用率从低谷到满产。

第三层：产品结构升级，DDR5 和 LPDDR5X 占比提升带动 ASP 结构性上行。

三个因素中，前两个（价格+产能利用率）是周期性的，第三个（产品结构升级）才是结构性的——这是分析长鑫业绩持续性的核心判断。

收盘估值分析

以收盘价 49.00 元、总股本 668.81 亿股计算，收盘总市值约 3.28 万亿元。对应估值：

• 2025 年归母净利润 18.75 亿元 → 静态 PE 极高
• 2026 年上半年预告归母 500-570 亿，年化约 1,000-1,140 亿 → 约 29-33 倍 PE
• 2028 年机构一致预期归母约 2,906 亿元 → 约 11.3 倍 PE

对比：美光科技 2026 年预期 PE 约 12 倍，SK 海力士约 8 倍。长鑫的市占率不到美光的三分之一，PE 却是其两倍以上。市场溢价来源于三个叙事：中国唯一 DRAM IDM（稀缺性）、国产替代确定性（政策）、AI 超级周期（成长性）。这三个叙事是否值 1.5-2 倍的 PE 溢价，是当前市场最大分歧。

券商目标估值

多家券商给出长鑫目标估值区间：东北证券从市场份额相对估值、盈利能力拆分、单位产能市值三种视角给出 3.2-5.7 万亿元目标；野村证券首次覆盖给出买入评级，目标价 116 元，对应市值约 7.76 万亿元——是东北证券上限的 1.4 倍。首日收盘 3.28 万亿已进入东北证券区间下限，市场对估值的分歧极为显著。

竞争格局：三寡头与挑战者

中国市场是全球最大的 DRAM 消费市场。2025 年中国大陆 DRAM 市场规模约 2,980 亿元人民币，占全球存储芯片总消费约 18%。目前国内 DRAM 自给率仍处于较低水平，高端 HBM 几乎完全依赖海外采购。即使长鑫不抢占海外市场，仅靠国产替代，增长空间仍然可观。

但同时需要注意：三星和 SK 海力士的大规模扩产计划正在路上，全球 DRAM 资本开支 2026 年同比增长 65%——供需关系可能在 2027-2028 年发生逆转。

此外，长鑫科技 2025 年有超过 98% 的营收来自传统 DRAM，在 HBM 领域目前收入为零。这意味着，在最具利润弹性的高端市场，长鑫暂时无法与三巨头竞争；而在传统 DRAM 市场，它又要面对三巨头扩产带来的价格压力。

HBM：决定估值天花板的最大变量

目前长鑫科技 HBM 收入为零。公司技术规划是跳代研发，当前进度为 HBM3 完成样品送测，规划 2026 年底量产；预计 2027 年推出 HBM3E，2028 年布局 HBM4。技术难点在于 3D 堆叠和 TSV 硅通孔垂直封装工艺，是中长期的關鍵突破方向。

与三大巨头的差距是数量级的：SK 海力士仅 HBM 月产能已超 15 万片。HBM 技术门槛极高——涉及 TSV 硅通孔、堆叠封装、混合键合等多项尖端工艺，美光用了约 5 年才实现 HBM3E 批量供货。长鑫能否在 3 至 5 年内突破，是高度不确定但价值巨大的期权。

近期信号：6 月初英伟达 CEO 黄仁勋确认三星、海力士、美光均已通过 HBM4 认证。摩根士丹利指出，从 HBM3E 到 HBM4 再到 HBM4e，单柜内存价值量增幅在四倍以上。赛道本身还在加速扩张——长鑫如果不能及时卡位，与第一梯队的差距将进一步拉大。

技术路线上存在弯道超车可能：传统 6F² 架构面临物理极限，4F² 架构可将单元面积缩减约 30% 并降低 EUV 光刻成本。长鑫与三大原厂均在推进 4F² 方案。但行业分析师提醒，窗口期最多三年——如果国产厂商不能趁涨价周期把良率拉到 80% 以上，一旦海外巨头扩产完毕，又将面临被压回低端市场的风险。

投资者需要关注的风险

• DRAM 周期反转风险（高） — 长鑫科技在招股书中明确提示：DRAM 行业具备强周期、高波动的特点，当前 DRAM 产品价格处于历史高位，价格的持续大幅上涨不具备可持续性。一旦价格见顶回落，公司收入和利润可能面临大幅下滑风险。
• 供给端产能释放压力（高） — 三星与 SK 海力士已宣布 800 万亿韩元扩产计划，三大原厂同步上调资本开支，2026 年全球 DRAM 资本开支同比增长 65%。未来数年新增产能将陆续释放，若需求端增长不及供给端产能投放速度，行业供需格局可能发生根本性逆转。
• HBM 研发与量产不及预期（中高） — 目前长鑫科技 HBM 收入为零，HBM3 尚处于样品送测阶段，而三巨头已量产 HBM4，技术差距为数量级。如果未来 3 至 5 年内无法实现 HBM 规模化量产，长鑫可能被长期锁定在通用型 DRAM 供应商的定位上，错失 AI 存储赛道最大的利润增量。
• 海外收入真实占比偏低（中） — 2025 年境外收入 350.54 亿元，但剔除香港转口贸易及关联交易后，真正进入海外终端市场的收入仅约 2.79%。全球第四的排名目前高度依赖中国大陆单一市场支撑，全球化收入结构尚未真正建立。
• 设备与材料供应受限（中） — ASML EUV 光刻机受美国出口管制持续限制，DUV 设备交付周期已拉长至 18 个月。在设备端制约下，国产 DDR5 良率目前约 65%，而三星已超过 85%，成本与效率差距仍然明显。
• 首日高换手与高波动风险（中） — 首日换手率达 61.5%，意味着超过一半的流通股已在首个交易日完成换手，短期博弈已充分展开，但也说明市场在 49 元附近的定价分歧极大。44.4% 的日内振幅（按开盘价与最低价计算为 30.8%）显示该标的短期波动风险处于极高水平。

未来 12 个月的关键观察窗口

• 2026 年 7 月 28‑31 日：上市首 5 日继续交易 — 首日 44% 振幅后，后续 4 天波动可能更剧烈，市场需经历首轮情绪沉淀。
• 2026 年 8 月：2026 年半年报正式披露 — 上半年预告营收 1,100‑1,200 亿元、归母净利润 500‑570 亿元的最终确认数据将出炉，这是全年业绩预期的第一块压舱石。
• 2026 年 10 月：2026 年三季报披露 — 第三季度单季营收与利润增速，是判断 DRAM 涨价持续性是否出现边际放缓的最关键窗口。
• 2026 年 11 月：TrendForce 发布 2027 年 DRAM 市场展望 — 供需预测模型的年度更新，将直接影响市场对 2027‑2028 年周期拐点位置的判断。
• 2027 年 3 月：2026 年年报发布 — 全年完整财务数据落地，同时将披露上市后首份分红方案，反映公司对股东回报的真实态度。
• 2027 年 7 月 27 日：上市满一年，部分限售股解禁 — 创始人朱一明承诺 10 年内不减持，但其他战略股东及早期投资人的锁定期届满，解禁后的实际抛压将接受市场检验。

总结

长鑫科技上市首日 3.28 万亿元的收盘估值，不仅是一个价格，更是对三个核心命题的定价：

信号一：A 股对硬科技的定价能力正在成熟。1,290 亿元的单日成交额、60.99% 的换手率、195.38% 的振幅——这组数据说明 A 股有能力给超级 IPO 提供足够的流动性和定价深度。以前的纪录是东方财富 900 亿（2024 年 10 月），长鑫一把推到了 1,290 亿。这不是简单的「炒新」，而是真金白银的充分博弈。

信号二：市场对周期的定价存在分歧。上午追到 535%、下午砸到 340% 的走势，完美体现了市场对 DRAM 周期位置的激烈分歧。乐观者看到的是 AI 驱动的结构性格局变化，悲观者看到的是周期顶峰 IPO 的历史重演。这两种叙事将贯穿长鑫上市后的第一个完整周期。

信号三：3.28 万亿的安全边际很薄。按 2026 年上半年年化利润约 1,070 亿（中值）计算，对应 PE 约 30 倍。如果 DRAM 价格在 2027 年见顶回落，这一估值将快速承压。券商目标区间的下沿（东北证券 3.2 万亿）已被触及。后续空间取决于三个变量：DRAM 价格维持高位的时间、长鑫 HBM 的研发进度、三星/海力士扩产的实际落地节奏。

长鑫科技 FAQ

长鑫科技 3.28 万亿的估值贵吗？

从静态 PE 看极贵，但从 2026 年上半年年化利润计算，对应 PE 约 29-33 倍；按野村证券 2028 年预期 EPS 5.8 元、20 倍目标 PE 计算，对应目标价 116 元。对于一个仍在高速增长、市占率从 7.6% 向更高目标攀升的 DRAM 厂商来说，远期估值有一定支撑。核心问题是：2028 年的利润预测能否兑现？这完全取决于 DRAM 价格能否在未来三年持续维持高位。首日 195% 的振幅已经说明市场在这点上分歧极大。

长鑫科技和三巨头的差距有多大？

在产品线上，DDR5 和 LPDDR5X 已进入国际第一梯队（速率 10,667 Mbps），技术代差缩小至约 1-2 年。在 HBM 领域差距巨大——三巨头已量产 HBM4，长鑫 HBM3 尚在样品送测阶段，HBM 收入为零。产能规模上，长鑫月产能约 28 万片（12 英寸等效），三星 DRAM 月产能是其 5 至 7 倍。

DRAM 价格什么时候会跌？

TrendForce 预计供需平衡点在 2027 年第四季度前后。历史经验表明价格拐点往往比供需平衡点来得更早，因为市场会提前交易预期。2026 年 8 月和 10 月财报是重要观察窗口——如果第三季度单季增速放缓，可能意味着周期正在接近顶部。另外关注三星/海力士大规模扩产的实际开工进度：一旦设备开始搬入，供给端预期将发生根本性改变。

首日换手率 60.99% 说明什么？

两个层面。好的一面：充分换手意味着超过 60% 的流通股已经换手，短期投机性抛压被大量释放，后续波动可能收敛。不好的一面：这说明市场对 49 元附近的定价分歧极大——有人觉得这是价值洼地，有人觉得这是周期顶部。换手率超过 60% 的新股，后续走势高度取决于基本面的兑现情况。

长鑫科技值不值得关注？

长鑫科技是中国硬科技自主可控最具代表性的标的之一，是中国大陆唯一具备 DRAM IDM 完整能力的企业。在 AI 超级周期背景下，其战略价值超越短期估值。但投资需要回答三个核心问题：你相信 DRAM 超级周期能持续到 2028 年吗？你相信长鑫能在 2028 年前实现 HBM 量产吗？你愿意为上述两个信念承受多大的中间波动？如果你回答不了这三个问题中的任何一个，那么追踪而非持有可能是更审慎的选择。