Samsung sẽ cung cấp HBM tùy chỉnh cho chip AI Feynman của Nvidia thông qua công nghệ lai ghép (hybrid bonding).

Theo BlockBeats, vào ngày 21 tháng 7, Samsung Electronics bắt đầu xây dựng dây chuyền sản xuất lai Die-to-Wafer hybrid bonding tại cơ sở P5 ở Pyeongtaek để hỗ trợ đóng gói nâng cao cho thế hệ tiếp theo đối với HBM và các bộ vi xử lý logic. Công ty dự kiến mua khoảng 50 hệ thống hybrid bonding từ nhà sản xuất thiết bị Besi của Hà Lan.

Nhà phân tích Jukan từ Citrini cho biết công nghệ hybrid bonding được kỳ vọng sẽ được triển khai trên bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo Feynman của Nvidia, thiết bị này sẽ sử dụng HBM tùy chỉnh. Samsung nội bộ dự phóng sản xuất hàng loạt vào khoảng 2029–2030, phù hợp với mốc thời gian dự kiến cho chip Feynman của Nvidia.