Samsung sẽ triển khai quy trình 2nm cho bộ nhớ AI HBM5, nhanh hơn 50% so với HBM4E

Theo Chosun Daily, vào ngày 27 tháng 7, Samsung Electronics công bố kế hoạch sử dụng quy trình 2 nanomet cho chip nền (base die) của bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 8 (HBM5). Công ty cho biết HBM5 sẽ xử lý dữ liệu nhanh hơn ít nhất 50% so với các chip HBM4E hiện tại, sử dụng chip nền 2nm Gate-All-Around và các kết nối xuyên qua silicon cải tiến (TSVs) nhằm nâng cao tốc độ và hiệu suất sử dụng điện.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận