Samsung, SK Hynix Đánh Giá Lại Công Nghệ Hybrid Bonding Cho HBM Thế Hệ Tiếp Theo

Theo truyền thông Hàn Quốc, Samsung Electronics và SK Hynix đang đánh giá lại lộ trình áp dụng công nghệ hybrid bonding cho thế hệ bộ nhớ băng thông cao (HBM) tiếp theo. Sự chậm trễ tiềm năng xuất phát từ nhu cầu giảm về giảm độ dày và cải thiện hiệu suất nhiệt trong các ứng dụng HBM. Cả hai công ty đang phát triển riêng các giải pháp nhiệt thay thế—HPB và iHBM—dự kiến tích hợp trong các sản phẩm HBM5. Các nhà phân tích trong ngành lưu ý rằng hybrid bonding dự kiến sẽ vẫn là hướng công nghệ quan trọng dài hạn khi số chân I/O của HBM tiếp tục tăng.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận