Kioxia, Samsung giới thiệu NAND Bonded Đa mảng tại VLSI 2026; Kioxia đạt 218 lớp, Samsung đạt 450 lớp

2026-07-07 14:58:19

Theo SemiAnalysis, trong hội nghị VLSI 2026, cả Kioxia và Samsung đã tiết lộ các kiến trúc NAND liên kết lai đa mảng như những lộ trình để đạt mật độ vượt quá 1.000 lớp. Các mẫu mảng ô đa chồng (MSA) của Kioxia bao gồm mẫu cơ học kép 218 lớp (2-stack) và mẫu điện kép 17 lớp để xác thực độ tin cậy QLC. Các mẫu liên kết đa ô (CMB) của Samsung tiến xa hơn với mẫu cơ học kép 450 lớp (3-stack) và mẫu điện kép 155 lớp. SemiAnalysis lưu ý rằng trong môi trường hạn chế công suất hiện tại, ưu tiên của ngành nên tập trung vào tăng số lượng wordline trên mỗi lớp khắc thay vì theo đuổi số chồng cao hơn, để tránh giảm sản lượng bit trên mỗi nhà máy do tổn thất năng suất.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

1giờ trước

SK Hynix niêm yết trên Nasdaq vào thứ Sáu này, huy động 28 tỷ USD với tư cách là nhà cung cấp chính của NVIDIA

7giờ trước

AMD tăng vọt 147% từ đầu năm đến nay, thiết lập vị thế là đối thủ cạnh tranh của Nvidia trong cơ sở hạ tầng AI

14giờ trước

Nvidia trì hoãn máy chủ AI thế hệ tiếp theo sang năm 2028 do các thách thức sản xuất PCB; SK Hynix ADR ra mắt ngày 10 tháng 7

07-06 13:04

Mảng kinh doanh đúc chip của Samsung đạt lợi nhuận từ tháng 6, tỷ lệ sản xuất thành công tiến trình 4nm đạt ~80%

07-06 11:13

Giá NAND Flash tăng 100%, ổ SSD 1TB tăng gấp đôi lên $150 do nhu cầu AI

Phân tích chuyên sâu