Goldman Sachs dự báo mức tăng mạnh của khu lưu trữ pin tại Mỹ lên 50GWh vào năm 2030, FLNC ký thỏa thuận với Nvidia

GS-4,89%
FLNC-6,30%
NVDA-2,36%

Theo Goldman Sachs, việc triển khai khu lưu trữ pin ở Mỹ sẽ đạt 172 GWh vào năm 2030, tăng 50 GWh so với dự báo trước đó, theo một báo cáo ngày 16 tháng 7. Ngân hàng đầu tư cho biết nhu cầu điện cho trung tâm dữ liệu đang tăng tốc và lộ trình mở rộng lưới điện của các công ty tiện ích trong 4-8 năm, khiến giải pháp lưu trữ năng lượng có chu kỳ triển khai 12-18 tháng trở thành lựa chọn nhanh nhất. Trên toàn cầu, các lắp đặt lưu trữ pin hằng năm được dự báo sẽ đạt 2.100 GWh vào năm 2040.

Goldman Sachs nhấn mạnh một sự thay đổi chiến lược: lưu trữ pin đang chuyển từ vai trò là tài sản hỗ trợ cho năng lượng tái tạo sang trở thành hạ tầng AI thiết yếu. FLNC trở thành đối tác pin độc quyền cho nền tảng DSX Vera Rubin của Nvidia, mở rộng đường ống trung tâm dữ liệu lên 12 GW, tăng 30% so với quý trước.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận