Как сообщают южнокорейские СМИ ZDNET, SK Hynix начала закупку оборудования для первой очереди чистых помещений (cleanroom) своего Y1-производства (wafer fab) в полупроводниковом кластере Йонсан 14 июля; первоначальные планы предполагают наращивание производственной мощности до 20 000 пластин в месяц для выпуска 1c DRAM.

Запуск первой очереди cleanroom на Y1-фабрике перенесён на февраль 2027 года вместо изначально запланированного мая 2027 года. К этому времени компания планирует начать строительство пилотной производственной линии и провести официальную установку оборудования в период с марта по апрель. Производственная линия будет ориентирована на 1c DRAM шестого поколения в классе 10 нм для высокозначимых AI-приложений, включая продукты DDR и LPDDR; при этом планируется поставлять HBM4E уже начиная с 2027 года.

Посмотреть источник

Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.

Связанные новости

8ч назад

UMC завершила массовое производство 1,6 триллиона кремниевых фотонных пластин с SILITH

12ч назад

SK Hynix выходит на Nasdaq, акции выросли на 241,5% с начала года, достигнув капитализации в 1 триллион долларов

22ч назад

Samsung ускоряет массовое производство на заводе в Йонгине до октября 2029 года — на два года раньше запланированного срока

07-13 09:01

Южная Корея планирует масштабное расширение ESS для новых заводов по производству полупроводников; по оценкам, объем рынка превысит 40 триллионов вон

07-13 03:30

SK Hynix подтверждает положительную оценку инвестиций в облигации правительства Кореи 10 июля

Детальный анализ