Samsung предложит пользовательскую HBM для AI-чипа Nvidia Feynman с помощью технологии гибридного бондинга

По данным BlockBeats, 21 июля Samsung Electronics начала строительство производственной линии Die-to-Wafer гибридной склейки на своем предприятии Pyeongtaek P5, чтобы поддержать передовую упаковку следующего поколения для HBM и логических полупроводников. Компания планирует приобрести около 50 систем гибридной склейки у голландского производителя оборудования BESI.

Аналитик Джукан из Citrini заявил, что технология гибридной склейки, как ожидается, будет применяться в следующем поколении ИИ-ускорителя Nvidia Feynman, который будет использовать кастомный HBM. Внутренние расчеты Samsung предусматривают массовое производство примерно в 2029–2030 годах, что соответствует ожидаемым срокам для чипа Nvidia Feynman.