De acordo com a BlockBeats, em 21 de julho, a Samsung Electronics começou a construir uma linha de produção de “Die-to-Wafer” com ligação híbrida na sua unidade Pyeongtaek P5, para apoiar o empacotamento avançado da próxima geração de semicondutores de HBM e lógica. A empresa planeja adquirir aproximadamente 50 sistemas de ligação híbrida do fabricante holandês de equipamentos, a BESI.
O analista Jukan, da Citrini, afirmou que a tecnologia de ligação híbrida deve ser adotada no próximo acelerador de IA de geração da Nvidia, o Feynman, que usará HBM personalizado. A Samsung projeta, internamente, produção em massa por volta de 2029-2030, alinhando-se ao cronograma esperado para o chip Feynman da Nvidia.