A AMD lança o acelerador de IA MI455X, com velocidade de memória HBM4 2,9 vezes maior do que a geração anterior.

A AMD, em seu evento anual “AMD Advancing AI 2026” realizado em 22 de julho no Moscone Center, em San Francisco, Califórnia, anunciou o novo acelerador de IA Instinct MI455X. Em comparação com o produto da geração anterior MI355X (com 8 camadas de empilhamento HBM3E, com capacidade de 288GB), a capacidade foi aumentada em 1,5 vez e a velocidade em 2,9 vezes.

Especificações de HBM4 do AMD MI455X

O HBM4 instalado no MI455X é resultado de melhorias principais, conforme abaixo:

· Comparação de geração (MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E)

· Número de camadas empilhadas: 12 camadas vs 8 camadas (+4 camadas)

· Capacidade por chip: 432GB vs 288GB (aumento de 1,5 vez)

· Largura de banda: 23,3 TB/s vs aproximadamente 8 TB/s (aumento de 2,9 vezes)

· Largura de canal: 2048 bits vs 1024 bits (dobrada)

· Desempenho geral de computação: cerca de 4 vezes maior do que a geração anterior

Dieckmann explicou que o ganho de velocidade não se baseia apenas em elevar a frequência do clock; ele é alcançado simultaneamente ao aumentar o número de camadas empilhadas (8 camadas → 12 camadas) e ao dobrar a largura do canal de conexão (1024 bits → 2048 bits).

Integração do sistema do MI455X: conexão direta de CPU com 256GB/s

A CPU compatível com o MI455X é o processador de servidor de sexta geração da AMD (EPYC Gen6). Por meio de um canal dedicado e conexão direta com a GPU, a velocidade de transferência de dados chega a 256GB por segundo, permitindo que a CPU acesse a memória da GPU sem latência, eliminando gargalos na troca de dados. Na camada do sistema do Helios, em um único rack é possível integrar até 72 unidades de MI455X; a capacidade total do HBM4 pode chegar a 31TB, e a largura de banda da memória a 1,7 PB/s, concretizando uma melhoria no desempenho de memória do nível de chip para a escala de rack.

Samsung Electronics como principal fornecedora de HBM4

Um executivo da AMD, entrevistado no local, revelou que a Samsung Electronics fornecerá a maior parte da memória HBM4 para o MI455X. A Samsung está preparando um produto HBM4 com design de 12 camadas empilhadas, capacidade na faixa de 36GB, usando processo de 10 nanômetros (1c). A taxa de transmissão por die é de 13Gbps, e a largura de banda por empilhamento é de 3,3TB/s; segundo as informações, é muito mais rápido do que a geração anterior HBM3E.

A AMD e a Samsung Electronics já assinaram um MOU em março de 2026, no escritório da Samsung em Pyeongtaek, para ampliar a cooperação na área de HBM4; o executivo da AMD também afirmou que a parceria entre as duas empresas será reforçada ainda mais na etapa do próximo HBM4E, com o objetivo de atingir empilhamento de 16 camadas, capacidade de cerca de 60GB e largura de banda na casa de dezenas de TB/s.

Perguntas frequentes

Quais são as especificações de memória HBM4 do AMD MI455X e como elas se comparam ao MI355X da geração anterior?

O MI455X traz HBM4 com empilhamento de 12 camadas, capacidade por chip de 432GB e largura de banda de 23,3 TB/s; em comparação com o MI355X da geração anterior, que traz HBM3E com empilhamento de 8 camadas (capacidade de 288GB), a capacidade aumenta 1,5 vez e a velocidade aumenta 2,9 vezes; o desempenho geral de computação aumenta cerca de 4 vezes em relação à geração anterior.

Qual é o papel da Samsung Electronics no fornecimento de HBM4 para o AMD MI455X?

De acordo com declarações do executivo da AMD na entrevista no local, a Samsung Electronics fornecerá a maior parte da memória HBM4 para o MI455X; o produto HBM4 da Samsung usa empilhamento de 12 camadas, capacidade de 36GB, utiliza processo de 10 nanômetros (1c) e a largura de banda por empilhamento chega a 3,3TB/s; além disso, a AMD e a Samsung Electronics também já assinaram um MOU em março de 2026 para ampliar a cooperação e desenvolver em conjunto a próxima geração HBM4E.

Quando a MOU entre a AMD e a Samsung Electronics foi assinada e qual é o escopo da cooperação?

A AMD e a Samsung Electronics assinaram um Memorando de Entendimento (MOU) em março de 2026 no local de escritórios da Samsung em Pyeongtaek, com o objetivo de ampliar a cooperação na área de próxima geração de memória (incluindo HBM4); as duas empresas também estão desenvolvendo em conjunto o HBM4E (7ª geração de HBM), com a meta de atingir empilhamento de 16 camadas, capacidade de cerca de 60GB e largura de banda de dezenas de TB/s.