Kioxia, Samsung muestran NAND de unión multiarreglo en VLSI 2026; Kioxia alcanza 218 capas, Samsung llega a 450 capas

Según SemiAnalysis, durante la conferencia VLSI 2026, tanto Kioxia como Samsung presentaron arquitecturas NAND híbridas unidas multiarray como vías para lograr densidades más allá de 1.000 capas. Las muestras de matriz de celdas multi-pila (MSA) de Kioxia incluyen muestras mecánicas duales de 218 capas (2 pilas) y muestras eléctricas duales de 17 capas para validación de fiabilidad QLC. Las muestras de unión múltiple de celdas (CMB) de Samsung avanzaron más con muestras mecánicas duales de 450 capas (3 pilas) y muestras eléctricas duales de 155 capas. SemiAnalysis señaló que, en el entorno actual con restricciones de capacidad, la prioridad de la industria debería centrarse en aumentar el número de líneas de palabras por capa de grabado, en lugar de buscar pilas más altas, para evitar una producción reducida de bits por fábrica debido a pérdidas de rendimiento.
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