A mediados de junio de 2026, el sector global de chips de memoria vive un momento excepcionalmente raro. Las acciones de SanDisk (SNDK) estuvieron a punto de alcanzar los 2 000 $ durante la sesión del 12 de junio, acumulando una revalorización superior al 734 % en lo que va de año. Sin embargo, el mercado está lejos de ser una tendencia unidireccional. El 16 de junio, SNDK cerró con una caída del 5,52 % en 1 991,55 $, tras una volatilidad intradía del 9,45 %, oscilando bruscamente entre un mínimo de 1 980,16 $ y un máximo de 2 167,33 $. Ese mismo día, Micron Technology (MU) retrocedió un 6,18 %, con un volumen negociado de 47 104 millones de dólares. Este comportamiento divergente dentro del segmento de chips de memoria pone de manifiesto el intenso debate del mercado sobre la lógica que impulsa la demanda de memoria para IA.
Para comprender realmente la naturaleza de este ciclo, es fundamental aclarar primero los roles diferenciados de NAND y HBM en el ecosistema de la IA. No se trata solo de una cuestión técnica, sino de una variable clave que determina la dinámica de oferta y demanda, los mecanismos de precios y las estrategias de inversión.
Arquitectura de memoria en tres niveles en sistemas de IA
La memoria en los sistemas de computación para IA no es una capa monolítica. Técnicamente, HBM, DRAM y NAND cumplen funciones fundamentalmente distintas.
HBM (High Bandwidth Memory) se sitúa junto a los aceleradores de IA (GPU/TPU), actuando como el "canal de datos en tiempo real" crítico que alimenta rápidamente los chips de computación durante el entrenamiento de IA. La DRAM gestiona el estado operativo en vivo del sistema, la memoria conversacional y los resultados intermedios de los cálculos. Los SSD empresariales basados en NAND proporcionan almacenamiento persistente para conjuntos de datos masivos, parámetros de modelos integrados, índices de recuperación, registros y puntos de control.
Esta arquitectura estratificada determina el orden y la elasticidad con que cada producto de memoria se beneficia del crecimiento de la demanda de IA. HBM se ve favorecida por el crecimiento exponencial del tamaño de los parámetros de los modelos: según datos de Morgan Stanley, la capacidad de HBM ha pasado de unos 10 TB en 2020 a aproximadamente 18 PB en 2026, un salto de varios órdenes de magnitud. El auge de NAND, por su parte, responde a la expansión de necesidades durante la fase de inferencia de IA: a medida que los grandes modelos pasan del entrenamiento al despliegue masivo, las cargas de trabajo de inferencia experimentan un crecimiento explosivo en los requisitos de almacenamiento de contexto (KV cache).
Brecha entre oferta y demanda: diferencias estructurales tras las cifras
En 2026, el mercado global de memoria afronta su mayor escasez de suministro en casi 15 años. Sin embargo, la brecha entre oferta y demanda varía de forma significativa según el segmento.
De acuerdo con SemiAnalysis, la oferta de DRAM será un 7 % inferior a la demanda en 2026, mientras que la de HBM presentará una brecha cercana al 6 %, que podría ampliarse al 9 % en 2027. Investigaciones sectoriales prevén además déficits de oferta para DRAM, NAND flash y HBM del 4,9 %, 4,2 % y 5,1 % respectivamente en 2026, los niveles más altos desde 2011.
Las restricciones estructurales del lado de la oferta merecen especial atención. Joseph Moore, analista de Morgan Stanley, señalaba en un informe a principios de junio que el principal obstáculo para ampliar la producción de chips de memoria no es la falta de inversión, sino límites físicos: insuficiente capacidad de salas blancas y suministro restringido de máquinas de litografía EUV. Moore fue claro: "No hay una solución rápida para la escasez de memoria", anticipando que las restricciones de suministro podrían prolongarse entre dos y tres años, o incluso más.
NAND enfrenta restricciones similares. Los SSD empresariales se han convertido en el principal motor de crecimiento de la demanda de NAND, con previsiones de aumento del 18 % tanto en 2026 como en 2027. Sin embargo, la entrada de obleas se reducirá un 5 % en 2026 y solo crecerá un 3 % en 2027. El socio de SanDisk en la joint venture, Kioxia, apenas ha ajustado su previsión de crecimiento de bits a largo plazo del 20 % al 22 %, mientras que la inversión de capital se mantiene baja. Esta notable diferencia entre el crecimiento de la demanda y el de la oferta constituye el soporte fundamental para la continuidad en la subida de precios de NAND.
Mecanismo de precios: de materia prima cíclica a activo estratégico
Otro rasgo definitorio de este ciclo de memoria es el cambio fundamental en los mecanismos de fijación de precios.
Tradicionalmente, los precios de los chips de memoria venían determinados por la oferta y demanda en el mercado spot, lo que generaba una gran volatilidad cíclica. En el ciclo actual, sin embargo, los principales proveedores de servicios cloud están asegurando capacidad mediante acuerdos de suministro a largo plazo y pagos anticipados. Morgan Stanley señala que los contratos a largo plazo podrían representar el 70 % o más de la oferta total en los próximos tres a cinco años. Este cambio implica que las acciones ligadas a DRAM "podrían revalorizarse hasta al menos 8–10 veces beneficios, frente a las 5 veces actuales, lo que ofrece un potencial de subida significativo".
El impacto de este cambio en la formación de precios difiere entre NAND y HBM. HBM, como cuello de botella central para el entrenamiento de IA, ve su elasticidad de precios limitada principalmente por la capacidad de encapsulado avanzado. Los precios de NAND, en cambio, están determinados tanto por la demanda de SSD empresariales como por una gestión disciplinada de la oferta. Bernstein destaca que los clientes de centros de datos se han convertido en los principales compradores en todos los segmentos de memoria, y su sensibilidad al precio es mucho menor que la de los consumidores tradicionales. Esta dinámica respalda un poder de fijación de precios más sólido y sostenido que en ciclos anteriores.
Perspectiva institucional: revisión de objetivos de Morgan Stanley y lógica de posicionamiento de Tepper
El 3 de junio, Morgan Stanley elevó drásticamente su precio objetivo para SanDisk de 1 100 $ a 1 750 $, y duplicó el de Micron de 520 $ a 1 050 $. Además, mejoró sus previsiones de beneficios para SanDisk en un 12 % para el ejercicio 2026 y un 24 % para 2027. A pesar de que ambas acciones han subido aproximadamente un 564 % y un 242 % respectivamente desde principios de año, Morgan Stanley considera que sus valoraciones aún están por debajo de las 10 veces beneficios implícitas para 2027, dejando margen para nuevas subidas.
Los principales fondos de cobertura comparten esta visión. Appaloosa Management, el fondo del multimillonario David Tepper, comunicó en su 13F del primer trimestre de 2026 una nueva posición de unas 281 250 acciones en SanDisk. Incluso tras una subida cercana al 535 % en 2026, Tepper decidió entrar en estos niveles. La cartera de Appaloosa en el primer trimestre alcanzaba unos 6 900 millones de dólares, con una concentración notable: las cinco principales posiciones suponían más del 48 % del total. El capital se ha alejado de valores tradicionales de consumo y de China, orientándose hacia infraestructuras de IA, energía y chips de memoria. Este giro encaja con la lógica sectorial del superciclo de chips de memoria.
Validación de mercado: doble confirmación de resultados y cotización
Los fundamentales de SanDisk avalan esta lógica. Los ingresos del tercer trimestre alcanzaron los 5 950 millones de dólares, un 97 % más que el trimestre anterior, con los ingresos de centros de datos disparándose un 233 %. La previsión para el cuarto trimestre sitúa los ingresos entre 7 750 y 8 250 millones de dólares, con un BPA diluido no GAAP estimado de 30–33 $. SanDisk también comunicó la firma de tres acuerdos a largo plazo de NBM (memoria basada en NAND), a los que se sumarán dos más en el cuarto trimestre.
La subida de precios sigue reforzando la tesis de oferta y demanda. Según TrendForce, los precios de los contratos genéricos de DRAM aumentaron un 93–98 % trimestre a trimestre en el primer trimestre de 2026, mientras que los de NAND subieron un 85–90 %. Morgan Stanley estima que los precios de DRAM se dispararon un 40 % entre marzo y mayo, con un nuevo incremento del 15 % previsto para junio–agosto; para el tercer trimestre de 2026, se espera un alza adicional del 20–30 %.
Del sector de memoria al terminal de trading: estrategia de compraventa de acciones en Gate
Para los inversores que siguen el superciclo de chips de memoria, participar de forma eficiente en el mercado estadounidense es clave. En junio de 2026, Gate lanzó oficialmente la funcionalidad de compraventa real de acciones, estableciendo una alianza estratégica con Alpaca, un broker-dealer estadounidense plenamente regulado y firma de compensación. Los usuarios pueden invertir en más de 10 000 acciones y ETF cotizados en NYSE y NASDAQ utilizando directamente la liquidez en USDT de sus cuentas de Gate.
La compraventa de acciones en Gate ofrece tres ventajas principales:
Umbral ultrabajo para acciones fraccionadas. Los inversores pueden empezar con tan solo 0,01 acciones, lo que significa que basta con 1 $ para operar en bolsa estadounidense. Para valores de precio elevado como SanDisk, que ronda los 2 000 $ por acción, las acciones fraccionadas reducen drásticamente la barrera de entrada para el inversor minorista.
Liquidación directa en USDT. Los usuarios evitan el tedioso proceso de "vender cripto → retirar a fiat → remesa internacional → fondeo del broker". Las operaciones se liquidan directamente en USDT, eliminando el mayor obstáculo para los inversores cripto que quieren acceder al mercado estadounidense.
Cumplimiento normativo. Todas las operaciones se ejecutan a través de Alpaca, bajo plena supervisión regulatoria estadounidense. Los dividendos y acciones corporativas se abonan automáticamente en las cuentas de Gate.
Gate también lanzó en junio la compraventa de acciones de Hong Kong, cubriendo más de 1 500 valores cotizados en HKEX. Los usuarios pueden gestionar tanto criptoactivos como acciones desde una única interfaz. Esto posiciona a Gate como un hub de inversión multi-activo, conectando criptoactivos y mercados financieros tradicionales desde un único punto de acceso.
Conclusión
La diferencia fundamental entre NAND y HBM en la ecuación de demanda de IA reside en sus roles dentro de la arquitectura de computación para IA: HBM responde a necesidades extremas de ancho de banda durante el entrenamiento, mientras que NAND actúa como una capa de memoria ampliable para despliegues masivos de inferencia. Estas diferencias determinan sus respectivas dinámicas de oferta y demanda, mecanismos de precios y ciclos de beneficios.
El superciclo de chips de memoria en 2026 es una transformación estructural impulsada por la revolución tecnológica de la IA, no una simple fluctuación coyuntural de oferta y demanda. Las restricciones físicas en la capacidad de suministro, el paso a contratos de precios a largo plazo y la entrada sostenida de capital institucional constituyen la lógica central que sostiene este ciclo.
Para los inversores, comprender la lógica diferenciada entre NAND y HBM es clave para tomar decisiones de asignación efectivas en el sector de chips de memoria. La funcionalidad de compraventa de acciones de Gate ofrece a los usuarios del ecosistema cripto un canal de acceso eficiente y de bajo umbral para participar en el rally de chips de memoria en EE. UU., permitiendo operar directamente en SNDK y otros líderes del sector con USDT. Esta puede ser la vía más directa para conectar las tendencias de la industria de IA con las decisiones de inversión personal.
