شركة سامسونج تتجاوز نسبة العائد في HBM4E 70%، وتهدف إلى الحصول على موافقة الاستعداد للإنتاج لعملية DRAM من الجيل التالي D1d في نوفمبر.

بلوكبيتس، في 1 يوليو، بعد أن بدأت سامسونج إلكترونيكس في الإنتاج الضخم لأول جيل من HBM4 (الجيل السادس) على مستوى العالم، فإنها تحقق تقدمًا في تطوير HBM4E (الجيل السابع) وذاكرة DRAM من الجيل التالي. قال سونغ جيه-هيوك، كبير مسؤولي التكنولوجيا في قسم DS في سامسونج ومدير معهد أبحاث أشباه الموصلات، في إفادة حول الوضع التشغيلي الداخلي عُقدت في 30 يونيو، إن معدل نجاح اختبار الموثوقية لـ HBM4E قد ارتفع إلى أكثر من 70٪. يعتبر الخبراء في الصناعة عادةً أن معدل النجاح الذي يتجاوز 80٪ يشير إلى مرحلة "النضج المستقر" للعملية؛ وبالنظر إلى أن HBM4E لا يزال في مرحلة اختبار الموثوقية، فإن أكثر من 70٪ يُعتبر مؤشرًا على أن التطوير يدخل نطاق الاستقرار.

في فبراير من هذا العام، كانت سامسونج إلكترونيكس قد بدأت بالفعل في إنتاج وشحن HBM4، وفي 29 مايو، كشفت عن المواصفات الفنية التفصيلية لمنتج HBM4E ذي 12 طبقة، وبدأت في شحن العينات إلى العملاء الرئيسيين. سيتم استخدام HBM4 في مسرع الذكاء الاصطناعي Vera Rubin الذي ستطلقه NVIDIA في النصف الثاني من العام، بينما من المتوقع استخدام HBM4E في مسرع الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي Vera Rubin Ultra الذي ستطلقه NVIDIA العام المقبل.

كما يسير تطوير عملية DRAM من الجيل التالي لسامسونج بشكل جيد. يعتقد سونغ جيه-هيوك أن تقنية عملية D1d تتمتع بميزة تنافسية مقارنة بالمنافسين، ويجري تطويرها بهدف الحصول على موافقة الإعداد للإنتاج بحلول نوفمبر. D1d هي عملية DRAM الأساسية التي تخطط سامسونج لتطبيقها بدءًا من الجيل التالي HBM5 (الجيل الثامن)، وإذا سارت الأمور وفقًا للخطة، فسيكون لها تأثير إيجابي على القدرة التنافسية لمنتجات DRAM من الجيل التالي ومنتجات HBM5 اللاحقة. (Fnnews)