سامسونغ ستُورِّد ذاكرة HBM مخصّصة لشريحة ذكاء اصطناعي من إنفيديا «فيمين» عبر تقنية التوصيل الهجين

وبحسب BlockBeats، في 21 يوليو/تموز، بدأت سامسونغ للإلكترونيات إنشاء خط إنتاج لهندسة الربط الهجين Die-to-Wafer في منشأة P5 بمدينة بيوونغتايك، بهدف دعم التغليف المتقدم من الجيل التالي لرقائق الذاكرة HBM والدوائر المنطقية. وتخطط الشركة للاستحواذ على نحو 50 نظام ربط هجين من شركة Besi الهولندية، لتجهيزات المعدات.

وقال المحلل Jukan من Citrini إن تقنية الربط الهجين يُتوقع أن تُعتمد في مسرّع الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي لدى Nvidia المسمى Feynman، والذي سيستخدم HBM مخصصاً. وتقدّر سامسونغ داخلياً أن بدء الإنتاج على نطاق واسع سيكون بين 2029 و2030، بما يتماشى مع الجدول الزمني المتوقع لرقاقة Feynman لدى Nvidia.