أعلنت شركة AMD، في فعاليتها السنوية «AMD Advancing AI 2026» التي أقيمت في 22 يوليو في مركز مؤتمرات Moscone في سان فرانسيسكو بولاية كاليفورنيا، عن مسرّع ذكاء اصطناعي جديد من طراز Instinct MI455X. ويمثل هذا المنتج، مقارنةً بسلفه MI355X (المزود بـ 8 طبقات تكديس HBM3E وبسعة 288GB)، زيادة بنسبة 1.5 ضعف في السعة و2.9 ضعف في السرعة.
مواصفات HBM4 لبطاقة AMD MI455X
تأتي مواصفات HBM4 المثبتة في MI455X نتيجةً لتحسينات محورية، وهي كالتالي:
· المقارنة بين الأجيال (MI455X HBM4 مقابل MI355X HBM3E)
· عدد طبقات التكديس: 12 طبقة مقابل 8 طبقات (+4 طبقات)
· سعة الشريحة الواحدة: 432GB مقابل 288GB (زيادة 1.5 ضعف)
· عرض النطاق الترددي: 23.3 TB/s مقابل نحو 8 TB/s (زيادة 2.9 ضعف)
· عرض القناة: 2048 بت مقابل 1024 بت (مضاعفة)
· كفاءة الحوسبة الإجمالية: أعلى بنحو 4 أضعاف من الجيل السابق
وأوضح Dieckmann أن الزيادة في السرعة لا تعتمد فقط على رفع تردد التشغيل، بل تتحقق في الوقت نفسه عبر زيادة عدد طبقات التكديس (من 8 إلى 12 طبقة) وتضاعف عرض القنوات المتصلة (من 1024 بت إلى 2048 بت).
دمج MI455X في النظام: اتصال مباشر للمعالج بسرعة 256GB/s
يأتي MI455X مزودًا بوحدة معالجة مركزية من معالجات AMD الجيل السادس للسرْفِر (EPYC Gen6). عبر قنوات مخصصة يتم توصيله مباشرةً مع وحدات GPU، لتصل سرعة نقل البيانات إلى 256GB في الثانية، ما يمكّن المعالج من الوصول إلى ذاكرة GPU دون تأخير، ويزيل عنق الزجاجة في تبادل البيانات. وعلى مستوى نظام Helios، يمكن دمج ما يصل إلى 72 وحدة من MI455X في رف واحد، لتصل السعة الإجمالية لـ HBM4 إلى 31TB، ويصل عرض النطاق الترددي للذاكرة إلى 1.7 PB/s، محققًا انتقال كفاءة الذاكرة على مستوى الشريحة إلى قابلية التوسع على مستوى الرف.
سامسونج للإلكترونيات كمورّد رئيسي لـ HBM4
كشف مسؤول رفيع في AMD، خلال مقابلة أجريت في الموقع، أن سامسونج للإلكترونيات ستوفّر الجزء الأكبر من ذاكرة HBM4 الخاصة بـ MI455X. ووفقًا لما تستعد له سامسونج، تعتمد منتجات HBM4 تصميم تكديس من 12 طبقة، بسعة في فئة 36GB، باستخدام عملية تصنيع 10 نانومترات (1c)، ومعدل نقل أحادي الساق يبلغ 13Gbps. كما يبلغ عرض النطاق الترددي لكل تكديس 3.3TB/s، ويُقال إنه أعلى بكثير من الجيل السابق HBM3E.
وقامت كل من AMD وسامسونج للإلكترونيات بتوقيع مذكرة تفاهم (MOU) في مارس 2026 في المقر المكتبي لسامسونج في Pyeongtaek، بهدف توسيع التعاون في مجال HBM4؛ كما ذكر مسؤول رفيع في AMD أن علاقة التعاون بين الطرفين ستتعزز أكثر في مرحلة الجيل التالي HBM4E، بهدف تحقيق 16 طبقة تكديس وسعة تبلغ نحو 60GB وعرض نطاق ترددي يصل إلى عشرات TB/s.
الأسئلة الشائعة
ما مواصفات ذاكرة HBM4 المثبتة في AMD MI455X، وكيف تقارن مع MI355X الجيل السابق؟
يأتي MI455X بذاكرة HBM4 بتكديس 12 طبقة، وسعة الشريحة الواحدة 432GB، وعرض نطاق ترددي يبلغ 23.3 TB/s. وبالمقارنة مع MI355X الجيل السابق المزود بـ 8 طبقات تكديس HBM3E (السعة 288GB)، ترتفع السعة 1.5 ضعف، وترتفع السرعة 2.9 ضعف؛ كما أن كفاءة الحوسبة الإجمالية أعلى بنحو 4 أضعاف من الجيل السابق.
ما دور سامسونج للإلكترونيات في تزويد HBM4 الخاصة بـ AMD MI455X؟
وفقًا لتصريحات مسؤول رفيع في AMD خلال مقابلة في الموقع، ستوفّر سامسونج للإلكترونيات الجزء الأكبر من ذاكرة HBM4 الخاصة بـ MI455X. كما تعتمد منتجات HBM4 لدى سامسونج تكديسًا من 12 طبقة بسعة 36GB، باستخدام عملية تصنيع 10 نانومترات (1c)، ويصل عرض النطاق الترددي لكل تكديس إلى 3.3TB/s. كما قامت كل من AMD وسامسونج للإلكترونيات بتوقيع مذكرة تفاهم في مارس 2026 لتوسيع نطاق التعاون، والعمل معًا على تطوير الجيل التالي من HBM4E.
متى تم توقيع مذكرة التفاهم بين AMD وسامسونج للإلكترونيات، وما نطاق التعاون؟
وقعت كل من AMD وسامسونج للإلكترونيات مذكرة تفاهم (MOU) في مارس 2026 في موقع المقر المكتبي في Samsung Pyeongtaek، بهدف توسيع التعاون في مجال الذاكرة القادمة (بما في ذلك HBM4). كما يتعاون الطرفان أيضًا في تطوير HBM4E (الجيل السابع من HBM)، بهدف تحقيق 16 طبقة تكديس وسعة تقارب 60GB وعرض نطاق ترددي يصل إلى عشرات TB/s.
