Samsung aumenta fortemente preços de memória em 20%! UBS revisa em alta as cotações: DRAM sobe 32% no terceiro trimestre, NAND sobe 30%!

Os meios de comunicação sul-coreanos noticiam que a Samsung Electronics está a negociar preços com clientes para o terceiro trimestre (Q3), com o objetivo de aumentar o preço médio de venda (ASP) da DRAM de uso geral em até 20%, e que a LPDDR, devido a um "grave gargalo" na oferta e procura, poderá ter um aumento superior a 20%. Entretanto, o UBS no seu último relatório elevou as estimativas de preços para DRAM e NAND, prevendo um aumento trimestral de 32% para a DRAM no Q3 e 30% para a NAND no mesmo período. Em comparação, a tendência de preços da SK hynix é relativamente estável. (Resumo anterior: Notícias da Samsung sobre novo aumento de 20% na DRAM no Q3! Três aumentos num ano, a IA desloca capacidade para telemóveis e PCs) (Contexto adicional: Samsung anuncia que a taxa de rendimento da HBM ultrapassou os 70%! O CTO Song Jae-hyuk afirma que a DRAM de próxima geração irá ultrapassar, perseguindo a SK hynix) Índice Alternar

• Posição firme da Samsung no aumento de preços no Q3, gargalo severo na LPDDR
• SK hynix estável: contratos de longo prazo da HBM protegem, menor volatilidade de preços
• Maior proporção de DRAM de uso geral, aumento mais acentuado da Samsung
• UBS eleva estimativas de preços para DRAM e NAND
• Estrutura de oferta/procura de memória para IA: tendência de alta pode continuar até 2027 O meio de comunicação sul-coreano 'ZDNET Korea' citou informações da indústria, reportando que a sul-coreana fabricante de memória Samsung Electronics está a negociar preços com clientes para o terceiro trimestre, com o objetivo de aumentar o preço médio de venda (ASP) da DRAM de uso geral em até 20% em relação ao trimestre anterior. Antes disso, os aumentos trimestrais do preço médio da DRAM da Samsung no primeiro e segundo trimestres já foram de 90% e 50~60%, respetivamente, três aumentos consecutivos refletindo o desequilíbrio estrutural causado pela IA a deslocar a capacidade de produção de memória tradicional.

Posição firme da Samsung no aumento de preços no Q3, gargalo severo na LPDDR

Fontes da indústria de semicondutores revelaram que a Samsung Electronics demonstrou uma postura extremamente firme nas negociações de preços do Q3. Para a LPDDR (memória de baixa potência de dupla taxa de dados), que recentemente enfrenta um "grave gargalo" tanto em servidores como em dispositivos móveis, a Samsung também se prepara para aumentar os preços em mais de 20%. No entanto, ainda não é certo se os clientes aceitarão totalmente — os fabricantes de equipamentos finais podem reduzir a quantidade de encomendas ou recorrer a outros fornecedores como moeda de troca.

SK hynix estável: contratos de longo prazo da HBM protegem, menor volatilidade de preços

Vale a pena notar que a tendência de preços da concorrente SK hynix está atualmente relativamente estável. Parte da razão é que a empresa depende mais da memória de alta largura de banda (HBM) exigida pela IA, e esses produtos são maioritariamente baseados em contratos de longo prazo (LTA), cujos preços não são facilmente afetados por flutuações de mercado de curto prazo. Ao mesmo tempo, a SK hynix está prestes a abrir o capital nos EUA, e o mercado espera que a sua capacidade de expansão de capital aumente ainda mais a diferença em relação à Samsung no setor da HBM.

Maior proporção de DRAM de uso geral, aumento mais acentuado da Samsung

A indústria avalia que a razão pela qual o aumento do preço médio da DRAM da Samsung é mais significativo do que o da SK hynix é principalmente porque a DRAM de uso geral, com maior volatilidade de preços, representa uma proporção maior na produção total da Samsung, e a Samsung é a mais agressiva no aumento de preços. Analistas da indústria afirmam que a Samsung ainda detém a maior quota de mercado global em DRAM de uso geral, o que lhe confere maior poder de negociação.

UBS eleva estimativas de preços para DRAM e NAND

O banco suíço UBS também elevou recentemente as suas estimativas de preços para DRAM e memória flash NAND. O banco prevê que os preços da DRAM aumentem 32% no Q3 e 18% no Q4, em termos trimestrais; e os preços da NAND aumentem 30% no Q3 e 12% no Q4. Estas previsões são muito superiores ao consenso médio do mercado, mostrando que Wall Street mantém um elevado otimismo em relação ao superciclo de memória impulsionado pela IA.

Estrutura de oferta/procura de memória para IA: tendência de alta pode continuar até 2027

A indústria geralmente acredita que a força motriz fundamental por detrás desta vaga de aumentos de preços de memória é a IA. As três principais fabricantes de memória (Samsung, SK hynix, Micron) já transferiram cerca de 93% da sua capacidade de produção para a produção de HBM, reduzindo drasticamente a oferta de DRAM tradicional. Além disso, cada bit de HBM produzido consome cerca de três vezes mais capacidade de wafer do que a DDR5, e a nova capacidade só estará disponível no mínimo em 2027. Sob a dupla pressão da contração da oferta e da expansão contínua da procura, os preços da memória ainda têm espaço para subir a médio e longo prazo.