AMD lance le nouvel accélérateur d’IA MI455X, avec une mémoire HBM4 offrant une vitesse 2,9 fois supérieure à celle de la génération précédente.

AMD a dévoilé son nouvel accélérateur IA Instinct MI455X lors de l’événement annuel « AMD Advancing AI 2026 » organisé le 22 juillet au Moscone Center de San Francisco, en Californie. Par rapport à son prédécesseur MI355X (équipé de 8 couches empilées de HBM3E, capacité 288GB), la capacité augmente de 1,5 fois et la vitesse de 2,9 fois.

Spécifications HBM4 du MI455X

Les spécifications HBM4 intégrées au MI455X résultent des améliorations clés suivantes :

· Comparaison de génération (MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E）

· Nombre de couches empilées : 12 couches vs 8 couches (+4 couches)

· Capacité par puce : 432GB vs 288GB (augmentation de 1,5 fois)

· Bande passante : 23,3 TB/s vs environ 8 TB/s (augmentation de 2,9 fois)

· Largeur de canal : 2048 bits vs 1024 bits (doublée)

· Performances de calcul globales : environ 4 fois plus élevées que la génération précédente

Dieckmann explique que l’augmentation de vitesse ne repose pas uniquement sur l’élévation de la fréquence d’horloge, mais est obtenue simultanément en augmentant le nombre de couches empilées (8 couches → 12 couches) et en doublant la largeur de la connexion (1024 bits → 2048 bits).

Intégration système du MI455X : connexion directe CPU de 256GB/s

Le MI455X est associé au processeur serveur AMD EPYC Gen6 (sixième génération), qui se connecte directement au GPU via des canaux dédiés, avec un taux de transfert pouvant atteindre 256GB/s. Cela permet au CPU d’accéder à la mémoire du GPU sans latence, en éliminant les goulots d’étranglement liés aux échanges de données. Au niveau du système Helios, un seul rack peut intégrer jusqu’à 72 unités de MI455X, et la capacité totale en HBM4 peut atteindre 31TB. La bande passante mémoire peut atteindre 1,7 PB/s, permettant de passer des performances mémoire au niveau de la puce à une évolutivité au niveau du rack.

Samsung Electronics comme principal fournisseur de HBM4

Un responsable d’AMD ayant accordé une interview sur place a révélé que Samsung Electronics fournira l’essentiel de la mémoire HBM4 pour le MI455X. Le produit HBM4 que Samsung prépare adopte une conception à 12 couches, avec une capacité dans la gamme de 36GB, en utilisant un procédé de 10 nanomètres (1c). Le débit de transfert par voie atteint 13Gbps, et la bande passante par empilement est de 3,3TB/s ; il est affirmé qu’il est beaucoup plus rapide que la génération précédente HBM3E.

AMD et Samsung Electronics ont déjà signé un MOU en mars 2026 au siège de Samsung Pyeongtaek afin d’étendre leur collaboration dans le domaine du HBM4 ; un responsable d’AMD a également indiqué que leur partenariat sera renforcé lors de l’étape HBM4E suivante, avec comme objectif d’atteindre un empilement de 16 couches, une capacité d’environ 60GB et une bande passante de dizaines de TB/s.

Questions fréquentes

Quelles sont les spécifications de la mémoire HBM4 embarquée sur l’AMD MI455X, et comment se compare-t-elle à la génération précédente MI355X ?

Le MI455X embarque un HBM4 à 12 couches empilées, avec une capacité par puce de 432GB et une bande passante de 23,3 TB/s. Par rapport au MI355X précédent équipé d’un HBM3E à 8 couches empilées (capacité 288GB), la capacité augmente de 1,5 fois et la vitesse de 2,9 fois ; les performances de calcul globales sont environ 4 fois supérieures à celles de la génération précédente.

Quel rôle joue Samsung Electronics dans l’approvisionnement en HBM4 de l’AMD MI455X ?

D’après les déclarations d’un responsable d’AMD lors de l’interview sur place, Samsung Electronics fournira la majeure partie de la mémoire HBM4 pour le MI455X. Le produit HBM4 de Samsung utilise un empilement à 12 couches, une capacité de 36GB, un procédé de 10 nanomètres (1c) et une bande passante par empilement pouvant atteindre 3,3TB/s. AMD et Samsung Electronics ont également signé en mars 2026 un MOU pour élargir leur coopération et développer conjointement la prochaine génération de HBM4E.

Quand le MOU entre AMD et Samsung Electronics a-t-il été signé, et quel est le périmètre de la coopération ?

AMD et Samsung Electronics ont signé un protocole d’accord (MOU) en mars 2026 au siège de Samsung Pyeongtaek, visant à élargir la coopération dans le domaine de la prochaine génération de mémoire (y compris HBM4). Les deux parties développent aussi conjointement la HBM4E (la septième génération HBM), avec comme objectif d’atteindre un empilement de 16 couches, une capacité d’environ 60GB et une bande passante de dizaines de TB/s.