Samsung augmente fortement les prix de la mémoire de 20 % ! UBS révise à la hausse les cotations : DRAM en hausse de 32 % au T3, NAND en hausse de 30 % !

韓媒報導，三星電子正與客戶進行 Q3 價格談判，目標將通用型 DRAM 均價（ASP）調漲最多 20%，且 LPDDR 因供需出現「嚴重瓶頸」，漲幅可望超過 20%。與此同時，瑞銀（UBS）最新報告調高 DRAM、NAND 報價預估，預測 DRAM Q3 季增 32%、NAND 同季漲 30%。相較之下，SK 海力士的訂價趨勢相對平穩。
（前情提要：三星傳出 Q3 DRAM 再漲 20%！一年漲三次，AI 排擠產能燒向手機、PC）
（背景補充：三星宣布 HBM 良率衝破 70%！CTO 宋在赫喊次世代 DRAM 反超，猛追 SK 海力士）

Table des matières

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• Samsung adopte une position ferme sur les hausses de prix au T3, le LPDDR connaît un goulot d'étranglement sérieux
• SK hynix reste stable : les contrats à long terme pour le HBM protègent, les fluctuations de prix sont faibles
• La part élevée de DRAM générique rend la hausse de Samsung plus agressive
• UBS relève ses prévisions de prix pour le DRAM et le NAND
• Structure de l'offre et de la demande de mémoire pour l'IA : la tendance à la hausse des prix pourrait se prolonger jusqu'en 2027

Le média sud-coréen ZDNET Korea rapporte, citant des sources industrielles, que le géant de la mémoire Samsung Electronics est en négociations de prix avec ses clients pour le troisième trimestre, visant à augmenter le prix moyen (ASP) des DRAM génériques jusqu'à 20 % par rapport au trimestre précédent. Auparavant, les augmentations trimestrielles des prix moyens du DRAM de Samsung avaient déjà atteint respectivement 90 % et 50 à 60 % au T1 et T2, ces trois hausses consécutives reflétant un déséquilibre structurel où l'IA évince la capacité de production de mémoire traditionnelle.

Samsung adopte une position ferme sur les hausses de prix au T3, le LPDDR connaît un goulot d'étranglement sérieux

Des sources du secteur des semi-conducteurs révèlent que Samsung Electronics a adopté une attitude extrêmement ferme lors des négociations de prix du T3. Pour le LPDDR (mémoire à double débit de données basse consommation), qui connaît récemment un « grave goulot d'étranglement » tant côté serveurs que mobiles, Samsung prévoit également d'augmenter les prix de plus de 20 %. Cependant, on ne sait pas encore si les clients accepteront pleinement ces hausses – les fabricants finaux pourraient négocier en réduisant les volumes de commandes ou en se tournant vers d'autres fournisseurs.

SK hynix reste stable : les contrats à long terme pour le HBM protègent, les fluctuations de prix sont faibles

Il est à noter que les tendances tarifaires du concurrent SK hynix sont actuellement relativement stables. Cela s'explique en partie par la plus grande dépendance de l'entreprise envers la mémoire à large bande passante (HBM) nécessaire à l'IA, dont une grande partie est vendue sous contrats à long terme (LTA), ce qui verrouille les prix et les rend moins sensibles aux fluctuations du marché à court terme. Par ailleurs, SK hynix s'apprête à entrer en bourse aux États-Unis, et le marché s'attend à ce que sa capacité d'expansion capitalistique creuse encore l'écart avec Samsung dans le domaine du HBM.

La part élevée de DRAM générique rend la hausse de Samsung plus agressive

Les experts du secteur estiment que la hausse plus marquée du prix moyen du DRAM de Samsung par rapport à SK hynix est principalement due à la proportion plus élevée de DRAM générique (dont les prix sont plus volatils) dans la production totale de Samsung, ainsi qu'à l'attitude la plus proactive de Samsung en matière d'augmentation des prix. Des analystes du secteur indiquent que Samsung détient toujours la première part de marché mondiale en DRAM générique, ce qui lui confère un plus grand pouvoir de négociation sur les prix.

UBS relève ses prévisions de prix pour le DRAM et le NAND

La banque suisse UBS a récemment relevé ses prévisions de prix pour le DRAM et la mémoire flash NAND. La banque prévoit que les prix du DRAM augmenteront respectivement de 32 % et 18 % au T3 et T4, et que ceux du NAND augmenteront de 30 % et 12 % au T3 et T4. Ces prévisions sont bien supérieures au consensus du marché, montrant que Wall Street reste très optimiste quant au super-cycle de la mémoire porté par l'IA.

Structure de l'offre et de la demande de mémoire pour l'IA : la tendance à la hausse des prix pourrait se prolonger jusqu'en 2027

Le secteur estime généralement que le moteur fondamental de cette hausse des prix de la mémoire est l'IA. Les trois grands fabricants de mémoire (Samsung, SK hynix, Micron) ont déjà converti environ 93 % de leur capacité de production vers le HBM, ce qui réduit considérablement l'offre de DRAM traditionnelle. De plus, chaque bit de HBM nécessite environ trois fois plus de capacité de plaquette que le DDR5, et les nouvelles capacités de production ne seront disponibles qu'au plus tôt en 2027. Sous la double pression d'une offre restreinte et d'une demande croissante, les prix de la mémoire ont encore un potentiel de hausse à moyen et long terme.