¡NVIDIA no lo soporta más! NVIDIA se une a Samsung para desarrollar NAND por su cuenta, ¿serán eliminadas las fábricas de memoria enfocadas en capacidad de producción?

Muchos no se dan cuenta de que el papel de la industria de la memoria está experimentando una transformación fundamental. En el pasado, Nvidia, líder en GPU, era solo un gran comprador de memoria, pero ahora avanza hacia una posición más profunda en la cadena industrial: participando directamente en el diseño de chips de almacenamiento de próxima generación. Según informes de medios coreanos, Samsung ha establecido una colaboración con Nvidia para desarrollar conjuntamente la próxima generación de memoria NAND Flash. En el futuro, la memoria ya no será un producto estandarizado, sino un componente central diseñado a medida para arquitecturas de IA.

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Nvidia acelera el desarrollo de chips con modelos de IA en 10,000 veces

Fuentes informan que el Instituto de Semiconductores de Samsung, Nvidia y un equipo de investigación del Georgia Institute of Technology han desarrollado conjuntamente un modelo de IA llamado Physics-Informed Neural Operator (PINO). Este sistema puede analizar el rendimiento de nuevos dispositivos de memoria NAND, con una velocidad más de 10,000 veces superior a los métodos de simulación tradicionales.

En el desarrollo de semiconductores, los ingenieros suelen depender de una herramienta de simulación llamada TCAD (Technology Computer-Aided Design) para probar diseños de chips. Sin embargo, este método requiere aproximadamente 60 horas por cada simulación, limitando severamente la eficiencia del desarrollo. El equipo de investigación combina leyes físicas con redes neuronales, permitiendo que la IA comprenda el comportamiento físico de los materiales y dispositivos, reduciendo el tiempo de simulación a menos de 10 segundos. Este logro ha sido publicado en la comunidad internacional de investigación.

La arma secreta de Samsung: NAND ferroelectrico

La tecnología central de esta colaboración es un tipo de almacenamiento basado en un material llamado ferroelectrico. La característica del material ferroelectrico es que puede mantener el estado de polarización positiva o negativa sin necesidad de una corriente continua, por lo que puede usarse para almacenar información con un consumo de energía extremadamente bajo. Samsung ha sido un investigador principal en este campo. A finales de 2025, un estudio publicado en la revista Nature indica que el consumo de energía del NAND ferroelectrico puede reducirse aproximadamente un 96% en comparación con el NAND tradicional.

Esto significa que en el futuro, los sistemas de IA podrán acceder a grandes volúmenes de datos con un consumo energético significativamente menor.

¿Las fábricas de memoria que solo aumentan la capacidad sin mejorar la tecnología serán eliminadas?

Esta colaboración simboliza que la competencia en memoria para IA ha entrado en una nueva etapa. En el pasado, Nvidia principalmente compraba memoria de alta ancho de banda (HBM) y NAND para soportar sus GPU de IA. Ahora, ha decidido desarrollar memoria especializada, ya que el tamaño de los modelos de IA crece exponencialmente, y la arquitectura de almacenamiento en sí misma se está convirtiendo en parte del diseño de los sistemas de IA. Quizás en el futuro, los chips de memoria ya no sean solo componentes universales, sino “plugins de arquitectura” diseñados a medida para sistemas de IA.

Según la Oficina de Propiedad Intelectual de Corea (KIPO), actualmente, el 43.1% de las patentes relacionadas con ferroelectricidad en todo el mundo son de Corea, con Samsung representando solo el 27.8%.

Este artículo, ¿Nvidia no puede soportarlo más? NVIDIA se une a Samsung para desarrollar NAND propia, ¿las fábricas de memoria que solo se enfocan en la capacidad serán eliminadas? Fue publicado originalmente en Chain News ABMedia.