تدرس إنتل اعتماد بنية تزويد الطاقة المزدوجة في عملية التصنيع 1.4 نانومتر للحاق بـ TSMC وSamsung

بلوكبيتس، 5 يوليو، تدرس شركة إنتل اعتماد بنية تستخدم التغذية الكهربائية من الأمام والخلف في وقت واحد في عملية التصنيع فائقة الدقة بمستوى 1.4 نانومتر، بهدف اللحاق بالمنافسين. وفقًا لمصادر في الصناعة، كانت إنتل تخطط في الأصل لاستخدام تقنية التغذية الخلفية المتخصصة PowerDirect في العملية الأساسية 14A بمستوى 1.4 نانومتر، ولكنها تدرس الآن في العملية اللاحقة 14A2 إدخال بنية ثنائية الجانب تستخدم التغذية من الأمام والخلف معًا.

كانت إنتل قد أعلنت سابقًا عن خطط لزيادة كثافة الرقائق بنسبة 1.3 مرة في عملية 14A مقارنة بعملية 18A؛ وتهدف عملية 14A إلى تحقيق تباعد M0 يبلغ حوالي 28 نانومتر، بينما قد تعمل عملية 14A2 على تحسين تباعد M0 إلى 21 نانومتر عبر تحسينات نصف عقدة. ستحتفظ إنتل بشبكة التغذية الخلفية كأساس، مع إعادة توزيع جزء من توصيلات المعادن الأمامية لأغراض التغذية المساعدة وإشارات الساعة، لتعويض نقص هامش الطاقة الناجم عن التصغير وقيود التعريض.

من المقرر أن تدخل عملية 14A من إنتل مرحلة الإنتاج التجريبي في عام 2028، والإنتاج الضخم في عام 2029. ستحتاج إنتل إلى إصدار حزمة أدوات التصميم العملية بنسخة 0.9 لعملية 14A للعملاء الخارجيين في أكتوبر من هذا العام، والحصول على طلبات مؤكدة من عملاء كبار من شركات تصنيع الرقائق بدون مصانع خلال 18 شهرًا بعد ذلك. على النقيض من ذلك، تخطط شركة TSMC لشحن منتجات A14 الحقيقية بمستوى 1.4 نانومتر في عام 2028، كما تخطط سامسونج إلكترونيكس لتسويق عملية SF2Z المحسنة بمستوى 2 نانومتر والتي تستخدم تقنية التغذية الخلفية في عام 2027.